IXFN48N50U2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 48 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 30 ns

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT227B