MGF4941AL

Малошумящие GaAs транзисторы были специально разработаны для использования во входных каскадах усилителей, смесителей и генераторов СВЧ диапазона. Они прекрасно зарекомендовали себя при работе в малошумящих и сверхмалошумящих блоках СВЧ конвертеров спутникового ТВ вещания, в высокочастотных блоках наземных и спутниковых систем телекоммуникаций и связи, а также в ряде других устройств СВЧ техники диапазона 0.5...20 ГГц.

Малошумящие GaAs транзисторы представлены двумя группами: FET (Field Effect Transistor) - полевые транзисторы и HEMT (High Electron Mobility Transistor) - транзисторы с высокой подвижностью электронов.