12A02CH-TL-E

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT
Вид монтажа: SMD/SMT
Упаковка / блок: CPH-3
Полярность транзистора: PNP
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: - 12 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): - 15 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): - 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: - 0.12 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 450 MHz
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 700
Непрерывный коллекторный ток: - 1 A