2SA1416S-TD-E

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT
Вид монтажа: SMD/SMT
Упаковка / блок: PCP-3
Полярность транзистора: PNP
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: - 100 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): - 120 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): - 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: - 0.2 V
Максимальный постоянный ток коллектора: - 2 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 120 MHz
Серия: 2SA1416
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 280
Непрерывный коллекторный ток: - 1 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 140
Pd - рассеивание мощности: 1.3 W