2SA1416T-TD-E

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT
Вид монтажа: SMD/SMT
Полярность транзистора: PNP
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: - 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 120 MHz
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Непрерывный коллекторный ток: 1 A
Pd - рассеивание мощности: 500 mW (1/2 W)