2SA1417S-TD-E

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT
Вид монтажа: SMD/SMT
Упаковка / блок: SC-62-3
Полярность транзистора: PNP
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: - 100 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): - 120 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): - 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: - 0.22 V
Максимальный постоянный ток коллектора: - 3 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 120 MHz
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 400
Непрерывный коллекторный ток: - 2 A
Pd - рассеивание мощности:1.5 W