2SA1962RTU

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT
Вид монтажа: Through Hole
Упаковка / блок: TO-3P-3
Полярность транзистора: PNP
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 230 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): 230 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V
Максимальный постоянный ток коллектора: 17 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 30 MHz
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Высота: 19.9 mm
Длина: 15.6 mm
Ширина: 4.8 mm
Непрерывный коллекторный ток: 15 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 55 at 1 A at 5 V
Pd - рассеивание мощности: 130000 mW