2SA2016-TD-E

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT
Вид монтажа: SMD/SMT
Упаковка / блок: SOT-89-3
Полярность транзистора: PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 50 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 240 mV
Максимальный постоянный ток коллектора: 7 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 330 MHz
Непрерывный коллекторный ток: 7 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 200
Pd - рассеивание мощности: 3.5 W