2SA2125-TD-H

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT
Технология: Si
Вид монтажа: SMD/SMT
Упаковка / блок: TO-243-3
Полярность транзистора: PNP
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: - 50 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): - 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): - 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 290 mV
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 380 MHz
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 560
Непрерывный коллекторный ток: 3 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 200
Pd - рассеивание мощности: 1.3 W