2SA2153-TD-E

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT
Вид монтажа: SMD/SMT
Упаковка / блок: PCP-3
Полярность транзистора: PNP
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: - 50 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): - 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): - 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: - 0.2 V
Максимальный постоянный ток коллектора: - 4 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 420 MHz
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 560 at - 100 mA at - 2 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 200 at - 100 mA at - 2 V
Pd - рассеивание мощности: 3.5 W