BD679AS

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Транзисторы Дарлингтона
Конфигурация: Single
Полярность транзистора: NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): 80 V
Максимальный постоянный ток коллектора: 4 A
Максимальный ток отсечки коллектора: 200 uA
Pd - рассеивание мощности: 40 W
Вид монтажа: Through Hole
Упаковка / блок: TO-126
Минимальная рабочая температура: - 65 C
Максимальная рабочая температура:+ 150 C
Высота: 11 mm
Длина:8 mm
Ширина: 3.25 mm
Непрерывный коллекторный ток: 4 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 750