D44H11TU

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT
Вид монтажа: Through Hole
Упаковка / блок: TO-220-3
Полярность транзистора: NPN
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 80 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): 80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1 V
Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 50 MHz
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 60 at 2 A at 1 V
Высота: 9.4 mm
Длина: 10.67 mm
Ширина: 4.83 mm
Непрерывный коллекторный ток: 10 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 60
Pd - рассеивание мощности: 70 W