MMUN2235LT1G

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT
Технология: Si
Вид монтажа: SMD/SMT
Упаковка / блок: SOT-23-3
Полярность транзистора: NPN
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 50 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.25 V
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 140
Непрерывный коллекторный ток: 100 mA
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 80
Pd - рассеивание мощности: 246 mW