NJVMJD127T4G

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Транзисторы Дарлингтонa
Конфигурация: Single
Полярность транзистора: PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): 100 V
Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора: 10 uA
Минимальная рабочая температура: - 65 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 100