NJVMJD243T4G

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT
Вид монтажа: SMD/SMT
Упаковка / блок: DPAK-3
Полярность транзистора: NPN
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 100 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 7 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 300 mV
Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 40 MHz
Минимальная рабочая температура: - 65 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 180 at 200 mA at 1 VDC
Непрерывный коллекторный ток: 4 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 40 at 200 mA at 1 VDC
Pd - рассеивание мощности: 12.5 W