NJVMJD45H11T4G

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT
Вид монтажа: SMD/SMT
Упаковка / блок: DPAK-3
Полярность транзистора: PNP
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1 V
Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 90 MHz
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Непрерывный коллекторный ток: 8 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 60
Pd - рассеивание мощности: 20 W