NJVNJD35N04T4G

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Транзисторы Дарлингтона
Конфигурация: Single
Полярность транзистора: NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 350 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): 700 V
Максимальный ток отсечки коллектора: 250 uA
Pd - рассеивание мощности: 45 W
Вид монтажа: SMD/SMT
Упаковка / блок: DPAK
Минимальная рабочая температура: - 65 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Непрерывный коллекторный ток: 4 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 2000
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 90 MHz