NJW21193G

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT
Вид монтажа: Through Hole
Полярность транзистора: PNP
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 250 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): 400 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.4 V
Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 4 MHz
Минимальная рабочая температура: - 65 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 80
Высота: 18.7 mm
Длина: 15.6 mm
Ширина: 4.8 mm
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 20
Pd - рассеивание мощности: 200 W