NSBA123EDXV6T1G

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Конфигурация: Dual
Полярность транзистора: PNP
Типичное входное сопротивление: 2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора: 1
Вид монтажа: SMD/SMT
Упаковка / блок: SOT-563-6
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 8
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 50 V
Непрерывный коллекторный ток: - 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора: 100 mA
Pd - рассеивание мощности: 357 mW
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 8
Высота: 0.55 mm
Длина: 1.6 mm
Ширина: 1.2 mm