NSVMUN5111DW1T3G

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Конфигурация: Dual
Полярность транзистора: PNP
Типичное входное сопротивление: 10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора: 1
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 35
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 50 V
Непрерывный коллекторный ток: 100 mA
Pd - рассеивание мощности: 385 mW
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Выходное напряжение: 200 mV