NXH160T120L2Q2F2SG

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Технология: Si
Продукт: IGBT Silicon Modules
Конфигурация: Split-T
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.47 V, 2.15 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 100 A, 160 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 300 nA, 500 nA
Pd - рассеивание мощности: 500 W
Упаковка / блок: Q2PACK
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 125 C
Вид монтажа: Press Fit
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V