NXH80B120H2Q0SG

Производитель: ON Semiconductor
Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Технология: SiC
Продукт: IGBT Silicon Carbide Modules
Конфигурация: Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 40 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 200 nA
Pd - рассеивание мощности: 103 W
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 125 C
Вид монтажа: Press Fit
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V