No picture Посмотреть полный размер

NTLJF4156NTAG

срок поставки 1-2 недели, 6 Lead DFN, 2 x 2 x 0.75 mm, 0.65 mm Pitch, Tape and Reel, Power MOSFET (полевой транзистор) and Schottky Diode 30 V, 4.0 A, µCool™ N-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm WDFN Package, FETs

Подробнее

26377 шт в наличии

21,44 руб

NTLJF4156NTAG, ONS, срок поставки 1-2 недели, 6 Lead DFN, 2 x 2 x 0.75 миллиметров, 0.65 миллиметров Pitch, Tape and reel упаковано в ленту, Power МОП-транзистор and Schottky Diode 30 V, 4.0 A, µCool™ N-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 миллиметров WDFN Package, FETs, подрозетник, то и его снимают. Острым ножом в подозреваемом месте в продольном направлении снимают такой толщины "стружку", чтобы увидеть жилу. Сам надрез изоляции на длине 7...12 мм настолько ослабит ее упругость, что излом жилы вызовет провисание изоляции при колебаниях. Если надрез не обнаружил излома, то его аккуратно обертывают изоляционной лентой. Конечно, досадно,

order@globuschip.ru

Отправьте запрос ONLINE или позвоните

Телефон:8(499)-408-37-63

Отправить запрос по e-mail